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A5G35H120NT2

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制造商：

NXP Semiconductors

制造商型号：

A5G35H120NT2

制造商类别：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

封装：

封装:Cut Tape

批号：

2023

库存：

1

描述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3800 MHz, 18 W Avg., 48 V

型号属性

封装

Reel

封装

Cut Tape

标准包装数量

2000

描述

2023-11-06 22:19:20

0次

微控制器

A5G35H120NT2代理,A5G35H120NT2供应商

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